导电型4H-SiC外延晶片
半绝缘型4H-SiC衬底片
衬底尺寸：4~6英寸
晶片厚度：500 μm ± 15 μm
电阻率：≥1E10 Ω·cm
用途：主要用于外延GaN高功率射频器件，应用于微波射频领域。
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导电型4H-SiC外延晶片
晶体尺寸：直径4~6英寸
电阻率：≥1E10 Ω·cm
半绝缘型4H-SiC晶体
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