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导电型4H-SiC衬底晶片
导电型4H-SiC衬底晶片
提4~6英寸导电型4H-SiC衬底晶片，产品主要用于制造SiC电力电子器件及SiC衬底上GaN光电子器件。
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导电型4H-SiC外延晶片
导电型4H-SiC外延晶片
提供4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，产品主要用于制造JBS、MOSFET和JFET等碳化硅器件。
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半绝缘型4H-SiC衬底晶片
半绝缘型4H-SiC衬底晶片
提供4~6英寸半绝缘型4H-SiC衬底晶片，产品主要用于制造高功率GaN微波射频器件。
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