导电型4H-SiC衬底晶片
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导电型4H-SiC衬底晶片
晶片尺寸：4~6英寸
晶片厚度：350 μm ± 15 μm
电阻率：0.015~0.024 Ω·cm
产品用途：产品主要于制造SiC电力电子
器件及SiC衬底上GaN光电子器件。
导电型4H-SiC外延晶片
导电型4H-SiC晶体
晶体尺寸：4~6英寸
电阻率：0.015~0.024 Ω·cm
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