碳化硅半导体相关团体标准列表 |
序号 | 团体名称 | 标准编号 | 标准名称 | 公布日期 | 状态 | 链接 |
1 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 014—2021 | 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 | 2021/11/4 | 现行 | 查看 |
2 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 013—2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 2021/11/4 | 现行
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3 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 001—2021 | 碳化硅单晶 | 2021/9/22 | 现行 | 查看 |
4 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 014—2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 2021/9/15 | 现行 | 查看 |
5 | 浙江省品牌建设联合会 | T/ZZB 2283—2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 2021/9/3 | 现行 | 查看 |
6 | 中关村标准化协会 | T/ZSA 38—2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 2020/12/31 | 现行 | 查看 |
7 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 006—2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 2020/12/29 | 现行 | 查看 |
8 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 007—2020 | 电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块评测规范 | 2020/5/25 | 现行 | 查看 |
9 | 中关村标准化协会 | T/ZSA 72—2019 | 碳化硅单晶 | 2020/1/3 | 现行 | 查看 |
10 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 013—2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 2019/12/30 | 现行 | 查看 |
11 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 012—2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 2019/12/30 | 现行 | 查看 |
12 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 011—2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 2019/12/30 | 现行 | 查看 |
13 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 010—2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 2019/12/30 | 现行 | 查看 |
14 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 008—2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 2019/12/30 | 现行 | 查看 |
15 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 009—2019 | 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 2019/12/2 | 现行 | 查看 |
16 | 京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 004.2—2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 2019/12/2 | 现行 | 查看 |
17 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 004.1—2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 2019/12/2 | 现行 | 查看 |
18 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 003—2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 2019/12/2 | 现行 | 查看 |
19 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | T/CASAS 001—2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 2019/12/2 | 现行 | 查看 |
20 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 007—2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 2019/4/12 | 现行 | 查看 |
21 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 006—2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 2019/4/12 | 现行 | 查看 |
22 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 005—2018 | 6 英寸碳化硅单晶抛光片 | 2019/4/12 | 现行 | 查看 |
23 | 浙江省品牌建设联合会 | T/ZZB 0686—2018 | 高性能无压烧结碳化硅密封环 | 2019/3/1 | 现行 | 查看 |
24 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 003—2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 2018/4/18 | 现行 | 查看 |
25 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | T/IAWBS 002—2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 2018/4/18 | 现行 | 查看 |