上海：推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体化合物发展
近日，上海市人民政府印发《上海打造未来产业创新高地发展壮大未来产业集群行动方案》的通知。
通知指出，在浦东、宝山、金山等区域，提升产业转化承载能力，打造未来材料产业集群。其中之一是非硅基芯材料。推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体化合物发展，持续提升宽禁带半导体化合物晶体制备技术能级和量产规模，积极布局宽禁带半导体晶圆制造工艺技术，增强宽禁带半导体芯片产品设计能力，扩大产品应用领域。积极推动石墨烯、碳纳米管等碳基芯片材料，半导体二维材料等未来非硅基半导体材料技术研究和布局。
南京：冲刺2.7万亿元，重点发展新能源汽车、第三代半导体等
近期，南京相继出台《南京市全力打造五千亿级智能电网产业集群行动计划》《南京市打造新能源汽车产业集群行动计划》《南京市加快培育新赛道发展未来产业行动计划》《南京市加快推进集成电路产业链高质量发展三年行动计划（2023—2025年）》《南京市打造千亿级智能制造装备创新型产业集群行动计划》7个行动计划。
按照计划，力争到2025年，上述创新型产业体系总规模达2.7万亿元，建成1个万亿级和一批千亿级创新型产业集群，将南京建设成为具有国际影响力的先进制造业基地。
到2025年，南京新能源汽车产业链规模要达3500亿元，整车产量力争达到20万辆，动力电池产量达到300GWh。培育500亿元以上企业1家、100亿元以上企业6家。在城市配套上，将建换电站600座、充电桩38000个、加氢站4座，建成车联网示范应用道路290公里。
《计划》提出，到2025年，全市未来产业实现主营业务收入3000亿元以上，增加值占全市生产总值5%左右。重点突破一批填补国内空白的关键核心技术，未来产业竞争优势和示范带动能力显著提升，发展水平位居全国第一方阵。
重点发展新一代人工智能、第三代半导体、基因与细胞、元宇宙、未来网络与先进通信、储能与氢能六大未来产业。
实施路径：第三代半导体方面，加快推进射频集成电路产业化基地、外延材料产业基地等重大项目建设，推动国家第三代半导体技术创新中心（南京）建设。基因与细胞方面，招引培育一批行业龙头企业，强化临床研究支撑能力，建设人体免疫细胞、细胞质量检测中心、细胞制备中心等公共平台。
储能与氢能方面，促进源网荷储一体化协同发展，布局一批独立储能电站项目，加快突破高安全性储能技术，推动储能与氢能产业和智能电网、新能源汽车等产业融合发展。
深圳再发利好，重点支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体
近日，深圳市发展和改革委员会发布《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施（征求意见稿）》（以下简称《征求意见稿》）。
《征求意见稿》提出重点支持高端通用芯片、专用芯片和核心芯片、化合物半导体芯片等芯片设计；硅基集成电路制造；氮化镓、碳化硅等化合物半导体制造；高端电子元器件制造；晶圆级封装、三维封装、Chiplet（芯粒）等先进封装测试技术；EDA工具、关键IP核技术开发与应用；光刻、刻蚀、离子注入、沉积、检测设备等先进装备及关键零部件生产以及核心半导体材料研发和产业化。
化合物半导体方面，鼓励通信设备、新能源汽车、电源系统、轨道交通、智能终端等领域企业推广试用化合物半导体产品，提升系统和整机产品的竞争力。
对年度采购深圳设计或制造的化合物半导体产品金额达2000万元（含）以上的企业，按不超过采购金额的20%给予补助，每年最高500万元。引导企业参与关键环节技术标准制定，抢占产业制高点，提升产品市场主导权和话语权。
