近日，我国的SiC外延片实现了8英寸的突破——厦门大学成功实现了8英寸SiC同质外延生长。
厦门大学国产8英寸SiC外延片亮相
厦门大学成功实现了8英寸碳化硅同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构；同时标志着我国已掌握8英寸碳化硅外延生长的相关技术。
据悉，该外延层厚度为12um，厚度不均匀性为2.3%；掺杂浓度为8.4×1015cm-3，掺杂浓度不均匀性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm-2。
厦门大学科研团队负责人表示，该技术的实现是厦门大学与瀚天天成等单位产学研合作的成果，通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。
瀚天天成一直致力于研发生产SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研发与产业化项目”被列为厦门市2023年重点项目之一。根据该公告，2022年8月4日，瀚天天成以2610万元竞得厦门市翔安区2022XG09-G工业用地，将在该地新增75条碳化硅外延晶片生产线（配套尾气净化器）、1套纯水机组及其他生产设备，预计新增产能年产碳化硅外延晶片30万片。
昭和电工、东莞天域
8英寸SiC外延片相关进展
除了厦门大学外，昭和电工与东莞天域在8英寸碳化硅外延片上也早有进展：
●昭和电工8英寸SiC外延片开始供样
2022年9月，昭和电工宣布，他们已成功产出8英寸SiC外延片，并开始提供样品，采用的是自产的8英寸SiC衬底。
目前，昭和电工SiC外延片市场占有率居世界第一，并且一直致力于使用本公司的衬底进行产品开发，旨在扩大200mm SiC外延片的生产，建立稳定的供应体系，进一步提高产品质量。
●天域半导体建设全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线
2022年4月，松山湖管委会官网公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》征求意见稿。拟征收地块面积6.316公顷，合计94.7亩，以建设天域半导体碳化硅外延材料研发及产业化项目——碳化硅外延关键技术的研发及全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线的建设。
项目主要内容为新增产能达100万片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生产线；8英寸碳化硅外延晶片产业化关键技术的研发；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生产和销售。项目计划2022年动工，预计2025年竣工并投产。
来源：行家说三代半
