碳化硅是地球上丰度极高的两种元素碳和硅构成的化合物，在地壳矿脉中却难见其踪。在地球长达数十亿年的演化过程中，都没有形成有工业应用价值的结晶态碳化硅矿物。迄今为止，人们只是在金刚石或火山岩中发现了少量共生的天然结晶态碳化硅。已知最早发现的碳化硅源于46亿年前太阳系刚刚诞生时的一颗陨石，因此它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。
1824年，Berzelius第一次报道了包含硅碳化合物的合成。
1992年，Acheson发明了二氧化硅，碳和添加物合成SiC的工艺，规模化量产工业用碳化硅，用来切割，研磨和抛光。
1905年Moissan发现了天然SiC，并将之命名为莫桑石（Moissanite）
1907年Round首次发现碳化硅的电致发光现象，制备了最早的LED二极管。
1959年4月举办了第一次碳化硅国际会议，半导体器件的先驱者，双极型晶体管的发明人1956年诺贝尔物理奖获得者肖克莱W.B.Shockley说：“今天电子学领域可能有两个特别重要的问题：一个是小型化，是器件变小，变复杂和变快的过程，另一个是与新环境有关的问题，如较高的温度和抗辐射”他认为SiC的化学键非常强，适合于制作高温器件，需要对SiC材料做广泛深入的研究，或许有一天，大的SiC单晶很容易生长，这些都需要做不懈的努力。
1959年9月，已故著名物理学家，复旦大学教授谢希德提出，碳化硅晶体具有耐高温与抗辐射特性，有可能用来制造半导体激光器。
1978年，苏联的Y.M.Tairov和V.F.Tsvetkov发明了碳化硅晶体生长的物理气相输运（Physical Vapor Transport , PVT）技术。
1983年，德国人G.Ziegler采用所谓的改进Lely法（Modified Sublimation Process）成功生长出碳化硅晶体。
1987年，美国北卡罗来纳州立大学的研究组宣布采用籽晶升华法（Seed-growth Sublimation Process）成功生长出碳化硅晶体，并于1987年7月，在北卡罗来纳州达勒姆成立了CREE公司，专门开展碳化硅晶体生长和碳化硅晶片的商业化生产。曾一度占有全球衬底用碳化硅晶片市场60%～70%的份额。
1989年，CREE公司推出了世界上第一款基于SiC材料上生产的蓝色LED。
1997 年，中科院物理所正式布局 SiC 晶体研究，由陈小龙研究员牵头。通过团队长期的基础研究，最终攻克了 SiC 单晶生长中的种种难题。生长出了高质量的 2 英寸 4H 和 6H 晶型的 SiC 单晶。
2006 年 9 月，北京天科合达蓝光半导体有限公司引进了物理所 SiC 晶体生长相关专利技术，在国内率先开始 SiC 晶体产业化工作。2012 年，公司开始量产 4 英寸 SiC 晶体，2018 年开始量产 6 英寸 SiC 晶体，开始了中国碳化硅之旅。
