碳化硅半导体行内测试标准

浏览：作者：来源：时间：2021-11-11 分类：知识驿站

碳化硅半导体相关团体标准列表
序号	团体名称	标准编号	标准名称	公布日期	状态	链接
1	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 014—2021	碳化硅衬底基平面弯曲的测定高分辨X射线衍射法	2021/11/4	现行	查看
2	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 013—2021	碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法	2021/11/4	现行	查看
3	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 001—2021	碳化硅单晶	2021/9/22	现行	查看
4	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 014—2021	碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法	2021/9/15	现行	查看
5	浙江省品牌建设联合会	T/ZZB 2283—2021	半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉	2021/9/3	现行	查看
6	中关村标准化协会	T/ZSA 38—2020	SiC晶片的残余应力检测方法	2020/12/31	现行	查看
7	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 006—2020	碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范	2020/12/29	现行	查看
8	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 007—2020	电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范	2020/5/25	现行	查看
9	中关村标准化协会	T/ZSA 72—2019	碳化硅单晶	2020/1/3	现行	查看
10	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 013—2019	半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法	2019/12/30	现行	查看
11	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 012—2019	碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法	2019/12/30	现行	查看
12	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 011—2019	导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法	2019/12/30	现行	查看
13	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 010—2019	碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法	2019/12/30	现行	查看
14	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 008—2019	SiC晶片的残余应力检测方法	2019/12/30	现行	查看
15	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 009—2019	半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法	2019/12/2	现行	查看
16	京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 004.2—2018	4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱	2019/12/2	现行	查看
17	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 004.1—2018	4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语	2019/12/2	现行	查看
18	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 003—2018	p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片	2019/12/2	现行	查看
19	北京第三代半导体产业技术创新战略联盟	T/CASAS 001—2018	碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范	2019/12/2	现行	查看
20	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 007—2018	4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法	2019/4/12	现行	查看
21	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 006—2018	碳化硅混合模块测试方法	2019/4/12	现行	查看
22	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 005—2018	6 英寸碳化硅单晶抛光片	2019/4/12	现行	查看
23	浙江省品牌建设联合会	T/ZZB 0686—2018	高性能无压烧结碳化硅密封环	2019/3/1	现行	查看
24	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 003—2017	碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法	2018/4/18	现行	查看
25	中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟	T/IAWBS 002—2017	碳化硅外延片表面缺陷测试方法	2018/4/18	现行	查看

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